晶体管分为两种类型,一种是场效应管(Field-effect Transistor, FET),其概念由 J. E. Lilienfeld 于 1926 年提出,但限于当时的条件,没有能够生产出实际能够工作的器件。而现在普遍认为的第一支晶体管是由贝尔实验室在 1947 年发明的,参与研发的人员有 John Bardeen, Walter Brattain 和 William Shockley。 他们发明的晶体管是与 J. E. Lilienfeld 提出的场效应管不同的双极性结型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),也就是我们现在俗称的三极管。
半年之后,八叛逆之一的罗伯特·诺伊斯成功独立研发出了另一种不同的集成电路,与 Jack Kilby 不同的是,罗伯特·诺伊斯的集成电路是以硅为基底,并且更加实用。一年之后,诺伊斯又将平面工艺运用到集成电路的制造流程上,这也使得业界更为认可仙童半导体出产的集成电路。仙童半导体在创造了一系列对后世影响深远的研究发明之后俨然已经成为了整个半导体行业的领军者。
The complexity for minimum component costs has increased at a rate of roughly a factor of two per year. Certainly over the short term this rate can be expected to continue, if not to increase. Over the longer term, the rate of increase is a bit more uncertain, although there is no reason to believe it will not remain nearly constant for at least 10 years.
评论区
共 28 条评论热门最新